ترانزستور السيليكون S8550

ترانزستور السيليكون S8550

ترانزستور مستوٍ من السيليكون

الوصف

ورقة بيانات الترانزستور S8550:



سمات

مكمل لـ S8050

تيار المجمع: IC=0.5A


الحد الأقصى للتقييمات (Ta=25 درجة ما لم يُذكر خلاف ذلك)

1(001)


معامل

الرمز شروط الاختبار الحد الأدنى الحد الأقصى الوحدة

جهد انهيار المجمع والقاعدة

في(بي)سي بي أو

IC=-100μA، IE=0

-40 V 

جهد انهيار المجمع-الباعث

V(BR)CEO IC =-1mA, IB=0 -25 V

جهد انهيار الباعث-القاعدة

في(بي)إيبو

IE= -100μA، IC=0

-5 V 

تيار قطع المجمع

ICBO VCB= -40V، IE=0 -0.1

μA 

تيار قطع المجمع

ICEO VCE= -20V، IB=0 -0.1

μA 

تيار قطع الباعث

IEBO VEB= -3V، IC=0 -0.1

μA 

hFE(1) VCE= -1V، IC= -50mA 120 400

كسب التيار المستمر

hFE(2) VCE= -1V، IC= -500mA 50

جامع باعث تشبع الجهد

VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V

جهد تشبع القاعدة-الباعث

VBE(سات)

IC=-500mA، IB= -50mA -1.2 فولت

تردد الانتقال

ف ت

VCE= -6V، IC= -20mA

ف=30 ميغا هرتز

150 ميجا هرتز


الخصائص الكهربائية (Ta=25 )

2(001)


الترانزستور S8550، المعروف أيضًا باسم ترانزستور الوصلة ثنائية القطب PNP، هو مكون إلكتروني شائع الاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات. يمكن لهذا الترانزستور التعامل مع تيارات مجمعة تصل إلى 700 مللي أمبير وجهد مجمع-باعث يصل إلى 20 فولت، مما يجعله مناسبًا للعديد من التطبيقات منخفضة الطاقة.


من أهم مميزات الترانزستور S8550 هو تكامله مع الترانزستور UTC S8050، وهو ترانزستور ثنائي القطب NPN. هذه الميزة تجعله خيارًا مثاليًا للتطبيقات التي تتطلب تضخيم الطاقة أو دوائر التبديل البسيطة.


من بين السمات المهمة الأخرى للترانزستور S8550 أنه خالٍ من الهالوجين، وهو ما يعتبر صديقًا للبيئة ويُعتبر ميزة كبيرة في تصنيع الإلكترونيات الحديثة. أصبح استخدام المواد الخالية من الهالوجين في المكونات الإلكترونية ممارسة قياسية في الصناعة بسرعة.


تتضمن بعض التطبيقات الشائعة للترانزستور S8550 مكبرات الصوت ومكبرات الميكروفون ومنظمات الجهد. بالإضافة إلى ذلك، يتم استخدامه أيضًا في دوائر التبديل منخفضة الطاقة مثل مشغلات LED ووحدات التحكم في المحرك والمرحلات.


عند استخدام ترانزستورات S8550، من الضروري أن نضع في الاعتبار بعض معلمات التشغيل. على سبيل المثال، يبلغ الحد الأقصى لكسب هذا الترانزستور حوالي 630، ويبلغ الحد الأقصى لتبديد الطاقة 625 ميلي وات. وهناك عامل حاسم آخر يجب مراعاته وهو جهد القاعدة-الباعث، والذي يتراوح عادةً بين 0.6 فولت إلى 0.7 فولت.


الترانزستور S8550 هو مكون متعدد الاستخدامات وموثوق به، ومناسب لمجموعة واسعة من التطبيقات منخفضة الطاقة. إن تكامله مع UTC S8050، وتيار المجمع العالي، وجهد الباعث والمجمع يجعله خيارًا مثاليًا للعديد من دوائر تضخيم الطاقة والتبديل. وحقيقة أنه خالٍ من الهالوجين يجعله خيارًا صديقًا للبيئة أيضًا.





FRQ

س: هل تقدمون عينة؟ هل هي مجانية؟

ج: إذا كانت العينة ذات قيمة منخفضة، فسنقوم بتوفير 20-30 قطعة لك للاختبار.


س: أين يقع مصنعك؟

أ: في مقاطعة تشجيانغ


الوسم : ترانزستور السيليكون S8550، الصين، الموردين، الشركات المصنعة، المصنع، الموزعين، الاقتباس، المخزون، شنتشن، OEM، في المخزون

في المادة التالية :ترانزستور S9012

قد يعجبك ايضا

أكياس التسوق